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群联电子e18主控芯片已支持176层nand闪存,可改善随机读取的延迟
群联电子e18主控芯片已支持176层nand闪存,可改善随机读取的延迟dram和nand闪存需求的持续增长,三星上半年.
dram和nand闪存需求的持续增长,三星上半年.单芯片堆叠出2tb:samsung 三星 公布 第五代v-nand闪存技术及相关规划
单芯片堆叠出2tb:samsung 三星 公布 第五代v-nand闪存技术及相关规划另外,支持30和20纳米等级的nand闪存,提供asynch/onfi1/onfi2/toggl
另外,支持30和20纳米等级的nand闪存,提供asynch/onfi1/onfi2/toggl224核 36tb内存 3d nand闪存盘 fpga?
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