4h-sic晶体结构,sic晶体结构

4h-sic在制造 mosfet 方面非常有潜力,因为其晶体生长和外延层生长的
无微管缺陷六英寸sic单晶的制备
氧化镓制造功率元件比sic更出色
controlled growth of 1d and 2d zno nanostructures on 4h-sic
1 晶格网格在该模型中, 首先基于sic晶体结构, 建立了