场效应管的内部结构图,场效应管的三个极图解

sic-mosfet采用沟槽结构可最大限度地发挥sic的特性.
于是,在上述igbt结构中,电子流通方向的电阻可用下图表示,结合上边
第六:场效应管
当vds>0v时,n-mosfet管导通,器件工作. igbt igbt的结构图
p沟道增强型的mos管内部形成也是同样的道理.