耐压半导体器件,半导体器件

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4,常用的1n4000系列二极管耐压比较如下:型号 1n40011n40021n4003 1n
强度降低到传统平板型功率半导体器件的水平,保证耐压超过1500v的同时
第三代半导体功率器件,碳化硅mos管以其出色的高耐压,低导通电阻,高
对半导体器件进行高温测试是检测器件在特定温度下各项电学